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德國(guó)Sglux紫外光電二極管0.50 mm² 探測(cè)器面 紫外線寬帶 （UVA+UVB+UVC） 0.50 mm² 探測(cè)器面積 扁平 TO18 封裝，密封，帶 1 個(gè)絕緣引腳和 1 個(gè)外殼引腳 在 280 nm（峰值靈敏度）處進(jìn)行 10 μW/cm² 的照射，產(chǎn)生約 8 nA 的電流 具有高耐輻射性的 SiC UV 光電二極管芯片（通過 PTB 檢測(cè)）
德國(guó)Sglux紫外光電二極管0.50 mm² 探測(cè)器面 紫外線寬帶 （UVA+UVB+UVC） 0.50 mm² 探測(cè)器面積 TO18 封裝，密封，帶 1 個(gè)絕緣引腳和 1 個(gè)外殼引腳 在 280 nm（峰值靈敏度）處進(jìn)行 10 μW/cm² 的照射，產(chǎn)生約 8 nA 的電流 具有高耐輻射性的 SiC UV 光電二極管芯片（通過 PTB 檢測(cè)）
德國(guó)Sglux紫外光電二極管6H SiC 芯片 紫外線寬帶 （UVA+UVB+UVC） 具有擴(kuò)展 UVA 靈敏度的 6H SiC 芯片 0.20 mm² 探測(cè)器面積 扁平 TO5 封裝，密封，帶 1 個(gè)絕緣引腳和 1 個(gè)外殼引腳 在 290 nm（峰值靈敏度）處進(jìn)行 10 mW/cm² 的照射，產(chǎn)生約 3200 nA 的電流
